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BSM75GD120DN2BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM75GD120DN2BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 103A 520W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM75GD120DN2BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)103 A
Puissance - Max520 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)1.5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce5.1 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM75GD120DN2BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM75GD120DN2BOSA1 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM75GD120DN2BOSA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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