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APTM08TDUM04PG

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Pour Référence Seulement

Référence APTM08TDUM04PG
Fabricant Microsemi Corporation
Description MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
Fiche technique

APTM08TDUM04PG Fiche technique

paquet SP6
ECAD
En stock 4 048 piece(s)
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Spécifications APTM08TDUM04PG

FabricantMicrosemi Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetSP6
ECAD
Séries-
Type de FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Fonction FETStandard
Tension de drain à la source (Vdss)75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A
Rds sur (max) @ id, vgs4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs153nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4530pF @ 25V
Puissance - Max138W
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casSP6
Package de périphérique fournisseurSP6-P

APTM08TDUM04PG fiche technique

APTM08TDUM04PG Packaging

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Sealing
Packing
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APTM08TDUM04PG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTM08TDUM04PG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the APTM08TDUM04PG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including APTM08TDUM04PG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of APTM08TDUM04PG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the APTM08TDUM04PG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of APTM08TDUM04PG?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTM08TDUM04PG we delivered, we will accept the replacement or return of the APTM08TDUM04PG only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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