Name: 2N6661JAN02
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N6661JAN02
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

2N6661JAN02

Pour Référence Seulement

Référence	2N6661JAN02
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Fiche technique
paquet	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ECAD
En stock	6 048 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 20 - déc. 25 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications 2N6661JAN02

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	90V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	860mA (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-39
Paquet / cas	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N6661JAN02 Packaging

2N6661JAN02 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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2N6661JAN02

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205

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2N6661JAN02

D# 2N6661JAN02-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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