* Please refer to the English Version as our Official Version.
Référence | MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
---|---|
Fabricant | Micron Technology Inc. |
Description | IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
Fiche technique | |
paquet | - |
ECAD | |
En stock | 7 408 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | juin 16 - juin 21 (Choisissez l'expédition accélérée) |
Demander un Devis |
|
Méthodes de paiement | |
Services de livraison |
Nous garantissons la satisfaction du client à 100%.
Notre équipe de vente expérimentée et notre équipe d'assistance technique recourent à nos services pour satisfaire tous nos clients.
Nous fournissons une garantie de 90 jours.
Si les articles que vous avez reçus n'étaient pas de qualité parfaite, nous serions responsables de votre remboursement ou de votre remplacement, mais les articles doivent être retournés dans leur état d'origine.
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT - Trays (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
|
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046AAT:B-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046AAT:BTR-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
Available |
950 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# XSKDRABS0024599 |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT |
844 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# 80AH8360 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 256M X 32BIT, -40 TO 105DEG C, DRAM Type:LPDDR4, DRAM Density:8Gbit, DRAM Memory Configuration:256M x 32bit, Clock Frequency:2.133GHz, Memory Case Style:WFBGA, No. of Pins:200Pins, Supply Voltage Nom:1.1V, Access Time:468ps RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1360
Container: Bulk
|
0 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
Avez-vous une question à propos de MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR?
+86-755-83210559 ext. 805
Scannez pour afficher cette page
IC TXRX RS485/RS422 14-SOIC
FUSE RESETTABLE .50A 13.2V SMD
PTC RESETTABLE 12V 1.60A 1812L
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
POLYSWITCH RESET .2A 24V SMD
IC FLASH 2GBIT 100NS 64FBGA
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3